Page 269 - PCAebookISBN9786164066809

251 บทที่ 8 การวิเคราะหวงจรเรโซแนนซ
เมื่อพิจารณาวงจรที่ ซับซอนมากขึ้นดวยการเชื่อมต ออนุกรมตัวตานทาน ตัวเหนี่ยวนํา
และตั วเก็บประจุเข าดวยกันไดเป นวงจรอนุกรมอารแอลซี ดั งแสดงไวในรูปที่ 8.5(ก) สามารถ
หาอิมพิแดนซสมมูลด านเขาในโดเมนทางความถี่ของวงจรอนุกรมอารแอลซีนี้ไดเปน
EQ Z = 1
R j L
j C


  โอหม (8-4)
หรือ
EQ Z = 2 (1 ) LC j RC
j C
 

  โอหม (8-5)
เสนโคงของขนาดและมุมเฟสของอิมพิแดนซ EQ Z ถูกแสดงไวในรูปที่ 8.5(ข) และ 8.5(ค)
ตามลําดับ จะเห็นวา ณ ความถี่ต่ํ ามาก ๆ ตัวเก็บประจุจะทําหนาที่เด นสุดในฐานะวงจรเป ด และ
อิมพิแดนซสมมูลดานเขาของวงจรอนุกรมนี้จะมีค าสูงมากในยานความถี่ต่ําเหลานี้ แตยานความถี่
สูง ตัวเก็บประจุจะลดบทบาทลง แทบจะไมมีผลตอวงจร และตัวเหนี่ยวนํ าจะมีบทบาทเดนขึ้นมา
ทําหนาที่แทนที่ซึ่ งอิมพิแดนซสมมูลดานเขาของวงจรจะเพิ่ มขึ้นเมื่อความถี่เพิ่มขึ้น
รูปที่ 8.5 อิมพิแดนซสมมูลดานเขาของวงจรอนุกรมอารแอลซี ที่ขึ้ นอยูกับความถี่