Page 293 - PCAebookISBN9786164066809

275 บทที่ 8 การวิเคราะหวงจรเรโซแนนซ
ตัวประกอบคุณภาพ Q มีความหมายอีกอยางหนึ่งทางด านการวิเคราะหพลังงาน
ของวงจรเรโซแนนซอนุ กรม เมื่อปอนฟ งกชันกระตุ นไซนูซอยดใหกับวงจรอนุ กรมอารแอลซี
ณ ความถี่เรโซแนนซ ดังแสดงไวในรูปที่ 8.20 ทราบวาอิมพิแดนซดานเขาของวงจรอารแอลซี
คือ R
รูปที่ 8.20 วงจรอนุกรมอารแอลซีที่ถูกกระตุน ณ ความถี่เรโซแนนซ
ดังนั้น กระแส ( ) i t = O ( / ) cosA R t แอมแปร และแรงดันที่ตกครอมตัวเก็บประจุ
C V =
O
1 I
j C
 C ( ) v t = 0
O
O
cos( 90 ) A t
RC


 = O
O
sin A t
RC

 (8-39)
จากที่ไดกล าวมาแลวในบทที่ 2 จะพบวา พลังงานแมเหล็กไฟฟาที่สะสมในตัวเหนี่ยวนํา คือ
( )
L w t = 2 1 ( )
2 L Li t
=
2
2
O 2 cos
2
A L t
R
 จูล (8-40)
และพลังงานสนามไฟฟ าที่สะสมในตัวเก็บประจุ คื อ
C ( ) w t = 2 1 ( )
2 C Cv t
=
2
2
O 2 2
O
sin
2
A t
R C

 จูล (8-41)